內蒙古鄂爾多斯電子有限公司

新聞分類

產品分類

熱門關鍵詞

聯系我們

內蒙古鄂爾多斯電子有限公司

電話:0477-3119792

      0477-3119798

傳真:0477-3119793       

聯系人:張俊義 (13947735108)
        王耀13924678799(廣東)

地址:鄂爾多斯市高新技術產業園區4號廠房

(東莞分公司 地址:廣東省東莞市塘廈鎮)

網址:www.thebeststays.com

郵箱:erdosdzgs@163.com


2020年我國電力電子器件市場將超5000億元

您的當前位置: 首 頁 >> 新聞中心 >> 行業新聞

2020年我國電力電子器件市場將超5000億元

發布日期:2017-01-14 00:00 來源:http://www.thebeststays.com 點擊:

如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導體就是電機的心臟,以它為核心的電力電子器件可實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產業轉型升級的整體方向與發展規劃,在此過程中功率半導體發揮的作用不可替代。然而,與集成電路產業相似,我國的功率半導體產業的發展水平與國際先進水平也存在著巨大的差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。針對我國當前功率半導體產業發展狀況以及2016-2020年電力電子產業發展重點,中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟、中國IGBT技術創新與產業聯盟、中國電器工業協會電力電子分會、北京電力電子學會共同發布《電力電子器件產業發展藍皮書》(以下簡稱《藍皮書》)?!端{皮書》指出,電力電子器件產業的核心是電力電子芯片和封裝的生產,但也離不開半導體和電子材料、關鍵零部件、制造設備、檢測設備等產業的支撐,其發展既需要上游基礎的材料產業的支持,又需要下游裝置產業的拉動。


2013年,我國的電力電子器件市場總額近2000億元,由此直接帶動的電力電子裝置產業的市場超過2萬億元。中國電器工業協會電力電子分會預測,隨著新能源革命的推動,我國電力電子器件產業將迎來10~20年的黃金發展期,將保持較高的增長態勢,并在投資增量需求與節能環境需求的雙重推動,以及下游電力電子裝置行業需求高速發展的拉動下,我國電力電子器件市場到2020年預計將超過5000億元。在此情況下,發展自主安全可控的功率半導體產業是當務之急。


對此,《藍皮書》指出,電力電子器件產業的核心是電力電子芯片和封裝的生產,但也離不開半導體和電子材料、關鍵零部件(如SMD功率電感器、塑封繞線片式電感器、有機實芯電阻器等)、制造設備、檢測設備等產業的支撐,其發展既需要上游基礎的材料產業支持,又需要下游裝置產業的拉動。


“十三五”期間,我國功率半導體為重點的電力電子產業應當以什么樣的一幅路線圖進行發展?《藍皮書》建議,2016~2020年在以下技術和產業進行重點布局,并制定關鍵材料和關鍵器件的相關技術標準。其中,近期發展目標可制訂為:在硅基電力電子器件用8英寸高阻區熔中照硅單晶圓片,IGBT封裝用平板全壓接多臺架精密陶瓷結構件、氮化鋁覆銅板、鋁-碳化硅散熱基板,6英寸碳化硅單晶及外延材料,6~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高溫(>300℃)封裝材料等關鍵材料方面形成生產能力。2020年發展目標為:在關鍵材料方面,形成硅基電力電子器件所需全部材料、碳化硅6英寸單晶和厚外延材料、6~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN電力電子器件所需高溫(>300℃)封裝材料等的生產能力,并建立相應標準體系和專利保護機制;在關鍵電力電子器件方面,硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化產品,綜合性能達到國際先進水平,SiC二極管、晶體管及其模塊產品和GaN器件產品具有國際競爭力。


相關標簽:片式電感器

最近瀏覽:

在線客服
分享
极速飞艇