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2016-2020年電力電子發展重點

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2016-2020年電力電子發展重點

發布日期:2017-01-26 09:58 來源:http://www.thebeststays.com 點擊:

  【內蒙古鄂爾多斯電子有限公司主營SMD功率電感器、塑封繞線片式電感器、有機實芯電阻器等】制造業是國民經濟的主體,是立國之本、興國之器、強國之基。沒有強大的制造業,就沒有國家和民族的強盛。作為制造業之一的電力電子器件產業,是關系到國計民生的高新基礎性產業,在經濟發展、國防建設和民生中發揮著重大的作用。電力電子器件產業主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產,但也離不開半導體和電子材料、關鍵零部件、制造設備、檢測設備等產業的支撐,其發展既需要上游基礎的材料產業的支持,又需要下游裝置產業的拉動,其產業發展具有投資大、周期較長的特點。

  為建立我國獨立自主的、具有國際競爭力電力電子器件產業,建議在2016~2020年在以下技術和產業進行重點布局,并制定關鍵材料和關鍵器件的相關技術標準。其中,近期發展目標為:在硅基電力電子器件用8英寸高阻區熔中照硅單晶圓片,IGBT封裝用平板全壓接多臺架精密陶瓷結構件、氮化鋁覆銅板、鋁-碳化硅散熱基板,6英寸碳化硅單晶及外延材料,6英寸~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高溫(>300oC)封裝材料等關鍵材料方面形成生產能力;關鍵電力電子器件方面,硅基IGBT芯片、模塊以及硅基MOSFET、FRD的國內市場占有率達到一定的份額,形成中低壓 SiC功率二極管、JFET和MOSFET以及低壓GaN功率器件等器件生產能力,開發相應功率模塊。2020年發展目標為:在關鍵材料方面,形成硅基電力電子器件所需全部材料、碳化硅6英寸單晶和厚外延材料、6~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN電力電子器件所需高溫(>300oC)封裝材料等的生產能力,并建立相應標準體系和專利保護機制;在關鍵電力電子器件方面,硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化產品,綜合性能達到國際先進水平,SiC二極管、晶體管及其模塊產品和GaN器件產品具有國際競爭力。


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